相较于目前市场主流的PERC电池，HIT的优势主要体现在：
1）结构对称、工艺简单、设备较少。HIT电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极，其结构对称、工艺相对简单。
2）低温制造工艺。HIT电池采用硅基薄膜工艺形成P-N结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度，避免了传统晶体硅电池形成P-N结的高温，可以降低能耗、减少对硅片的热损伤。
3）获得较高的转换效率。HIT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。
HIT电池由于其较高的转换效率、较少的工序以及已经有量产实绩，已成为下一代高效电池的主要发展方向，但目前仍然存在设备投资较高、低温组件封装工艺不成熟、透明导电膜成本较高等问题。
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